化學(xué)氣相沉積法也稱CVD法。CVD法是把工件置于有氫氣保護(hù)的爐內(nèi)，加熱到高溫（高溫CVD）或者在低壓（約40Pa）條件下可以實現(xiàn)低溫CVD，向爐內(nèi)通入反應(yīng)氣，使之在爐內(nèi)熱解，化合成新的化合物沉積在工件表面。倒如在工件表面沉積TiC，將工件置于爐內(nèi)，通氫氣加熱到900～1100℃，以氫為載體氣，將TiCl4和CH4（或C2H2）通入爐內(nèi)，發(fā)生反應(yīng)：

TiCl4+CH4+H2→Tic+4HCl+H2

從而在工件表面獲得一層TiC涂層。為了加速反應(yīng)過程，把常壓變?yōu)榈蛪�，故有低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）。

從而在工件表面獲得一層TiC涂層。為了加速反應(yīng)過程，把常壓變?yōu)榈蛪�，故有低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）。

CVD法可分置換型、加水分解型和氧化型三類。不管怎樣分類，CVD法都是利用氣相的化學(xué)反應(yīng)，析出欲涂覆的物質(zhì)，沉積在工件上的過程，其反應(yīng)包括以下幾種，見表13-4。