①真空蒸鍍  在133.3×（10⁵～10⁶）Pa真空室內用電阻法或電子使膜層材料蒸發，沉積于基體材料表面上。由于氣體分子平均自由程大于蒸發源到工件的距離，故只有面向蒸發源的工件部位得到積層。且由于蒸鍍材料的原子只具有熱動能，能量較小（約10^-1eV），故膜層與基體結合較差。

②真空濺射鍍  以沉積膜材做靶材，并置于靶極上，在靶極接上3kV的負偏壓，把氨氣充入真空室，使真空度為133.3×（10^-2～10^-3）Pa，真空室內產生輝光放電后，Ar離子轟擊靶材，產生濺射，沉積于靶材對面的工件上，于是形成覆層。靶材可以是純金屬或化合物，如通入反應氣體，使之與純金屬靶材形成化合物，此稱反應濺射。

③離子鍍  它是真空蒸鍍和真空濺射鍍（氣體放電）相結合的技術。工作時工件接上1～5kV偏壓，并向真空室內通入Ar氣，將真空度調至133.3×（10^-3～10^-4）Pa。產生輝光放電后，由蒸發源蒸發出來的金屬原子的一部分被電離成離子，金屬離子在電場作用下向基極（工件）加速運動，能量可達數千電子伏物，轟擊工件表面，使之產生大量缺陷，且高能粒子以5～10nm/eV的深度注入基體，因而大大提高膜與基體間的結合力。由于基極（工件）帶負高電壓，極易吸引金屬離子，并由于低真空氣體散射的結果，大大提高了膜的繞鍍能力，使鍍膜易于均勻。